IPI024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI024N06N3GHKSA1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI024N |
IPI024N06N3GHKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPI024N06N3GHKSA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
infineon TO-262
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPI023NE7N INFINEON
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
IPI032N06N3G(032N06N) INFINEON
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
INFINEON TO-262
Infineon TO-262
IPI033NE7N INFINEON
INFINEON TO-262
IPI024N06N3G INFINEON
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
MOSFET N-CH 60V TO262-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI024N06N3GHKSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|